2012年6月19日，德國紐倫堡訊 — 在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質國際研討會與展覽會”上，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產品系列增強了英飛凌在SiC（碳化硅）產品市場的領先地位。這個革命性的新產品系列，立足于英飛凌在SiC技術開發以及高質量、大批量生產方面十多年的豐富經驗。

　　英飛凌科技股份公司高壓功率轉換產品部負責人Jan-Willem Reynaerts指出：“英飛凌已針對需要高效電源管理的市場推出了多項突破性技術。CoolSiCTM 也是一種革命性的創新技術，可將太陽能逆變器的性能提升至新的水平。憑借新型SiC JFET技術，我們可以幫助客戶開發出更好的氣候保護解決方案。”

　　與IGBT相比，新型 CoolSiCTM 1200V SiC JFET大幅度降低了開關損耗，在不犧牲系統總體效率的情況下，可以支持更高的開關頻率。這為使用更小的無源元件創造了條件，其結果是縮小客戶設計的產品的尺寸，降低其重量，并壓縮系統成本。換言之，設計人員可在不增加太陽能逆變器體積的情況下，實現更高的輸出功率。

　　為了確保常通型JFET技術的安全性和易用性，英飛凌開發出一種被稱為直驅技術的概念。在這一概念中，JFET與外部低壓MOSFET和專用的驅動芯片組合在一起，確保了安全的系統啟動，以及快速可控的開關。

　　CoolSiCTM JFET集成了一個體二極管，其開關性能可媲美外置SiC肖特基勢壘二極管。這種組合最大限度提高了器件的效率、可靠性、安全性和易用性。

　　供貨和定價
　　CoolSiCTM JFET產品和驅動芯片的首批樣品于2012年第二季度供貨。OEM量產預計將于2013年上半年開始。IJW120R100T1 （100mOhm）的定價為每件24.90美元（€ 18.44）（起訂量為1,000件）。