一塊月餅樣大小，硬度僅次于金剛石的灰色的晶體塊，這就是晶體材料國家重點實驗室剛剛出爐的3英寸碳化硅單晶。該實驗室宣布，這是我國在研制2英寸碳化硅單晶獲得成功以來，在大直徑碳化硅單晶研究方面取得的又一突破性進展。
　　
　　我國在“十五”期間獲得2英寸碳化硅單晶，但更大直徑的生長技術(shù)進展緩慢。在國家 “863”計劃支持下，山東大學晶體材料國家重點實驗室依靠2英寸碳化硅單晶小批量產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)，首先利用理論計算，對大直徑單晶的溫場進行模擬，不斷試驗優(yōu)化設(shè)計，最終在2000℃高溫和真空的環(huán)境下，成功生長出3英寸碳化硅單晶。
　　
　　自然界的晶體以絢爛的色彩贏得人們的喜愛，不僅如此，還具有奇異的物理性能：能夠?qū)崿F(xiàn)光、電、磁、熱、聲和力的相互作用和轉(zhuǎn)換，是電子器件、半導(dǎo)體器件、固體激光器件的重要材料。據(jù)了解，從19世紀末開始，人們用各種方法來探索如何生長晶體，碳化硅單晶就是人工晶體科學中熠熠生輝的一顆明珠。它被稱為第三代半導(dǎo)體材料，目前美國的碳化硅單晶直徑達到4英寸，處于國際領(lǐng)先地位。