半導(dǎo)體制造商ROHM株式會社已正式展開碳化硅模塊(額定功率1200V/100A)量產(chǎn)，此模塊系完全利用碳化硅(SiC：Silicon Carbide)來架構(gòu)內(nèi)建的功率半導(dǎo)體組件。
　　ROHM研發(fā)出獨(dú)創(chuàng)的「缺陷抑制」技術(shù)及篩選法，可確保產(chǎn)品的可靠性。此外，還同時發(fā)展出碳化硅所特有的1700℃高溫制程之劣化抑制技術(shù)等，領(lǐng)先全球成功設(shè)立一套全碳化硅功率模塊量產(chǎn)體制。
　　該產(chǎn)品以最先進(jìn)技術(shù)將 SiC- SBD 與 SiC- MOSFET 等2種組件進(jìn)行搭配，不但能將功率轉(zhuǎn)換時的損耗降低至傳統(tǒng)的硅 IGBT 模塊的85%，而且達(dá)到100kHz以上的高頻動作，動作速度高于IGBT模塊10倍以上，此外，額定電流為100A，切換速度快而且損耗低，因此能用來取代額定電流為200~400A的硅IGBT模塊。
　　除此之外，經(jīng)由設(shè)計與制程的改善，ROHM還成功研發(fā)出散熱性絕佳的模塊。用來取代傳統(tǒng)的400A級硅 IGBT 模塊后，即可減少約50%的體積。由于損耗降低發(fā)熱也因此更小，因此亦可使用體積較小的外接冷卻裝置，能夠有效地協(xié)助整體裝置實(shí)現(xiàn)小型化的目標(biāo)。
　　該產(chǎn)品可用來嵌入工業(yè)裝置或太陽能電池中負(fù)責(zé)功率轉(zhuǎn)換的變頻器或轉(zhuǎn)換器中，與一般的硅制IGBT模塊相較之下，該產(chǎn)品不但具有多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，包括降低切換損耗達(dá)85%、取代傳統(tǒng)400A級Si-IGBT模塊，并減少50%的體積。損耗低，發(fā)熱量也少、可以使用體積較小的冷卻裝置，因此能讓整臺裝置的體積更小。同時，它還能節(jié)省全球能源及資源等，對地球環(huán)境保護(hù)帶來極大的貢獻(xiàn)。
　　ROHM未來除了將進(jìn)一步加強(qiáng)碳化硅(SiC)組件/模塊系列產(chǎn)品以達(dá)成高耐壓、大電流等目標(biāo)外，同時并將致力于推動碳化硅槽溝式(Trench) MOSFET及SiC-IPM (智能功率模塊)等碳化硅(SiC)相關(guān)系列產(chǎn)品之?dāng)U充及量產(chǎn)。
　　該產(chǎn)品將自3月下旬起于ROHM總公司工廠(日本京都市)展開制品量產(chǎn)與出貨。