半導體制造商ROHM株式會社已正式展開碳化硅模塊(額定功率1200V/100A)量產，此模塊系完全利用碳化硅(SiC：Silicon Carbide)來架構內建的功率半導體組件。
　　ROHM研發出獨創的「缺陷抑制」技術及篩選法，可確保產品的可靠性。此外，還同時發展出碳化硅所特有的1700℃高溫制程之劣化抑制技術等，領先全球成功設立一套全碳化硅功率模塊量產體制。
　　該產品以最先進技術將 SiC- SBD 與 SiC- MOSFET 等2種組件進行搭配，不但能將功率轉換時的損耗降低至傳統的硅 IGBT 模塊的85%，而且達到100kHz以上的高頻動作，動作速度高于IGBT模塊10倍以上，此外，額定電流為100A，切換速度快而且損耗低，因此能用來取代額定電流為200~400A的硅IGBT模塊。
　　除此之外，經由設計與制程的改善，ROHM還成功研發出散熱性絕佳的模塊。用來取代傳統的400A級硅 IGBT 模塊后，即可減少約50%的體積。由于損耗降低發熱也因此更小，因此亦可使用體積較小的外接冷卻裝置，能夠有效地協助整體裝置實現小型化的目標。
　　該產品可用來嵌入工業裝置或太陽能電池中負責功率轉換的變頻器或轉換器中，與一般的硅制IGBT模塊相較之下，該產品不但具有多項優點，包括降低切換損耗達85%、取代傳統400A級Si-IGBT模塊，并減少50%的體積。損耗低，發熱量也少、可以使用體積較小的冷卻裝置，因此能讓整臺裝置的體積更小。同時，它還能節省全球能源及資源等，對地球環境保護帶來極大的貢獻。
　　ROHM未來除了將進一步加強碳化硅(SiC)組件/模塊系列產品以達成高耐壓、大電流等目標外，同時并將致力于推動碳化硅槽溝式(Trench) MOSFET及SiC-IPM (智能功率模塊)等碳化硅(SiC)相關系列產品之擴充及量產。
　　該產品將自3月下旬起于ROHM總公司工廠(日本京都市)展開制品量產與出貨。