【據功率電子世界網站2014年10月14日報道】法國Yole Développement（Yole）公司的研究顯示，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）材料技術的新型寬禁帶技術將會重新定義部分已建立的功率電子產業。SiC和GaN材料的優勢已眾所周知。事實上，此類材料提供了更快的轉換頻率、更大的功率密度、更高的結點溫度以及更優的電壓性能。

       Yole 公司在歐洲半導體設備展覽會的功率電子會議上分享其關于功率電子產業的愿景。會議期間，Yole公司將會參考新型材料如SiC和GaN的產品，詳述功率電子產業現狀及其技術發展趨勢及相關參與者。

       從硅碳材料的角度分析，其一系列的應用已經成為一種主流趨勢。可以預見在不久的將來，SiC將會在高壓和超高電壓（高達1.7kV）領域扮演非常重要的角色。

       Yole公司功率電子部門高級市場分析師Pierric•Gueguen表示“在Yole公司，我們堅信這些電壓及相關功率范圍正是SiC技術適用領域。”去年6月，Yole公司公布了其功率GaN的市場報告，同時也證實了GaN材料在功率電子市場的引入。Yole公司的分析師確定了其多種應用領域，尤其是用于低壓范圍如電源或功率因數校正領域的應用。據該份技術及市場分析報告顯示，從2015至2018年電源及功率因數校正應用部分將成為商業主導，其銷售額將占整體銷售額的50%，。

       然而,伴隨著新型寬禁帶技術的應用，功率電子產業也將會面臨新技術的挑戰。事實上，現有的封裝解決方案并不能很好的匹配GaN和SiC的特性。在此背景下，一些公司開發了一種增強型封裝策略用以提升性能。據Yole公司稱，基于該新型封裝解決方案，到2016年功率模塊市場份額將會達到2億美元。（工業和信息化部電子科學技術情報研究所 徐博源 唐旖濃）