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官方微信摘要 名稱用于晶體生長的碳化硅表面的制備方法公開號1050949公開日1991.04.24主分類號H01L21/205分類號H01L21/205;H01L21/306申請?zhí)?010828...
| 名稱 | 用于晶體生長的碳化硅表面的制備方法 | ||
| 公開號 | 1050949 | 公開日 | 1991.04.24 |
| 主分類號 | H01L21/205 | 分類號 | H01L21/205;H01L21/306 |
| 申請?zhí)?/td> | 90108281.3 | ||
| 分案原申請?zhí)?/td> | 申請日 | 1990.10.11 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | [32]1989.10.13[33]US[31]421375 | |
| 申請人 | 克里研究公司 | 地址 | 美國北卡羅來納州 |
| 發(fā)明人 | 約翰·Ｗ·帕穆爾; 華雙·孔; 約翰·Ａ·愛德蒙 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利代理部 | 代理人 | 段承恩 |
| 摘要 | 本發(fā)明是在一塊單晶碳化硅晶體上形成一個基本的平表面的方法，將基本的平表面暴露在腐蝕性等離子體中，直至任何因機(jī)械制備該表面而引起的表面或表面下的損傷基本上被消除。然而,腐蝕是有限的，持續(xù)時間不超過在表面上等離子腐蝕發(fā)展新缺陷或者使現(xiàn)有缺陷惡化所要的時間，同時采用等離子體氣體和電極系統(tǒng)，它們本身不會在表面中惡化或者引起顯著的缺陷 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003604號