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官方微信摘要 申請號:201410743574.8申請日:2014.12.08國家/省市:中國上海(31)
申請號: 201410743574.8 申請日: 2014.12.08
國家/省市: 中國上海(31)
公開號: 104478438A
公開日: 2015.04.01
主分類號: C04B 35/565(2006.01)
分類號: C04B 35/565(2006.01); C04B 35/622(2006.01)
申請人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
發明人: 陳健; 黃政仁; 劉學建; 陳忠明; 姚秀敏; 袁明; 劉巖; 閆永杰; 朱云洲; 劉桂玲; 張輝
代理人: 曹芳玲 鄭優麗
代理機構: 上海瀚橋專利代理事務所（普通合伙）(31261)
申請人地址: 上海市長寧區定西路1295號
摘要： 本發明涉及一種低電阻率碳化硅陶瓷及其制備方法，所述低電阻率碳化硅陶瓷的組成包括SiC、AlN、B4C、C，其中，AlN的含量1—5wt%，B4C的含量≤1wt%，C的含量為0—3wt%，其余為SiC。
主權利要求 1.一種低電阻率碳化硅陶瓷，其特征在于，所述低電阻率碳化硅陶瓷的組成包括SiC、AlN、B4C、C，其中，AlN的含量1—5wt%，B4C的含量≤1wt%，C的含量為0—3wt%，其余為SiC。
豫公網安備41019702003604號