離子束沉積法
關(guān)鍵詞 離子束沉積法|2011-06-21 14:55:53|制造技術(shù)|來源 中國(guó)磨料磨具網(wǎng)
摘要 此方法是使用考福曼型離子源,使硼,氮原子或分子產(chǎn)生離子化,形成離子束,照射于基板合成立方氮化硼薄膜。通常是在離子源中通入高純度的B3N3H3氣體后就產(chǎn)生了由硼,氮原子,離子和兩原子...
此方法是使用考福曼型離子源,使硼,氮原子或分子產(chǎn)生離子化,形成離子束,照射于基板合成立方氮化硼薄膜。通常是在離子源中通入高純度的B3N3H3氣體后就產(chǎn)生了由硼,氮原子,離子和兩原子的分子的離子組成的混合離子束。該離子束在磁場(chǎng)和偏壓電源作用下獲得200—1000eV的能量,打在基板表面上沉積形成立方氮化硼薄膜。
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