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化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中常用的磨料

關(guān)鍵詞 化學(xué)機(jī)械拋光|2024-08-06 11:32:30|來源 粉體網(wǎng)
摘要 化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是一種超精密的表面加工技術(shù),其通過化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨削的雙重耦合作用,來實(shí)現(xiàn)工件表面納米級的局部或全局平坦化。在CMP過程中,磨料作為機(jī)械作用和化學(xué)作用的直接實(shí)...

        化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是一種超精密的表面加工技術(shù),其通過化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨削的雙重耦合作用,來實(shí)現(xiàn)工件表面納米級的局部或全局平坦化。在CMP過程中,磨料作為機(jī)械作用和化學(xué)作用的直接實(shí)施者和傳遞者起到了非常關(guān)鍵的作用,其硬度、粒徑、形狀、用量等參數(shù)都會影響著拋光的具體效果。下面,小編將詳細(xì)的給大家介紹一下目前CMP中常用的幾種磨料。


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        硅溶膠SiO2

        硅溶膠是CMP工藝中應(yīng)用最廣的磨料之一,屬于軟性磨料。SiO2溶于水后會與水接觸形成Si—OH鍵,這使得它與大量的羥基相互附著形成硅溶膠。硅溶膠呈乳白色膠狀液體,其內(nèi)部是Si—O—Si鍵相聯(lián)結(jié)而成的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),外部則包裹著帶負(fù)電的羥基,硅溶膠中的水分子解離形成H3O+在靜電作用下吸附于吸附層和擴(kuò)散層,形成雙電子層結(jié)構(gòu),其厚度對硅溶膠在拋光液中的分散穩(wěn)定性起關(guān)鍵作用。硅溶膠中納米粒子的直徑可以控制在10-150nm,不同粒徑的硅溶膠會產(chǎn)生不同的去除速率,通過有效的選擇可以滿足不同制程的需求;它機(jī)械磨損性能適中,選擇性和分散性良好,使得在拋光過程中對工件表面的損傷極小,加上硬度與單質(zhì)硅接近,所以常用于硅、軟金屬等材料的拋光。

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硅溶膠雙電子層示意圖(圖源:文獻(xiàn)2)

        氧化鋁Al2O3

        氧化鋁是一種擁有較高硬度和良好磨削性能的磨料,它在自然界中存在多種同質(zhì)異性相,其中α-Al2O3因具備高強(qiáng)度、高硬度、高電阻率等諸多優(yōu)良性能,被廣泛應(yīng)用于航天、磨料、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。氧化鋁表面細(xì)膩,質(zhì)地堅(jiān)硬,莫氏硬度約為9,僅次于金剛石,可以有效去除硬質(zhì)材料表面的突出部分,以實(shí)現(xiàn)較高的材料去除率;它在化學(xué)上相對穩(wěn)定,不易與大多數(shù)化學(xué)物質(zhì)發(fā)生反應(yīng),因此在CMP過程中能夠保持拋光液的壽命;與其他高級磨料相比,氧化鋁的成本相對較低,故在工業(yè)應(yīng)用中更具有優(yōu)勢。但由于氧化鋁磨料表面容易帶有正電荷或負(fù)電荷,從而產(chǎn)生靜電引力、范德華力等分子間作用力,在拋光液中較易產(chǎn)生團(tuán)聚現(xiàn)象,加上其本身硬度較高,在CMP制程中如果操作不當(dāng),容易導(dǎo)致材料去除率不均勻,在材料表面造成機(jī)械損傷,因此在使用時需要謹(jǐn)慎。

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        氧化鈰CeO2

        氧化鈰是一種具有優(yōu)異拋光性能的磨料,其切削力強(qiáng)、拋光時間短、使用壽命長、拋光精度高,常應(yīng)用于光學(xué)玻璃器件、電視機(jī)顯像管、半導(dǎo)體晶片等器件的拋光。氧化鈰在拋光過程中化學(xué)穩(wěn)定性較好,不易與拋光液中的其他成分發(fā)生不良反應(yīng),有利于維持拋光液的穩(wěn)定性和使用壽命,相對于一些其他磨料,它對環(huán)境的影響較小,符合當(dāng)下綠色化學(xué)和可持續(xù)發(fā)展的要求。氧化鈰的莫氏硬度約為7,與玻璃的硬度相似,對SiO2質(zhì)材料具有優(yōu)異的拋光性能,即可以在兼顧表面質(zhì)量的情況下,擁有較高的切削速率。

        *作用原理:在壓力作用下,拋光液中的水分子會使SiO2晶片表面羥基化,CeO2會與SiO2生成Ce—O—Si鍵,由于玻璃表面易水解,繼而形成Ce—O—Si(OH)3鍵,CeO2與拋光平臺之間產(chǎn)生的機(jī)械力促使Si—O—Si鍵斷裂,SiO2會以塊狀的形式被CeO2拋去在這個過程中,Ce—O—Si鍵的形成是反應(yīng)的控制步驟,它的形成增大了拋光切應(yīng)力,整個拋光速度受Ce—O—Si鍵的形成和Si—O—Si鍵的斷裂速度影響。

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        此外,氧化鈰也是一種半導(dǎo)體光催化劑,存在可變價(jià)態(tài)(Ce4+、Ce3+)和豐富氧空位,結(jié)合了摩擦化學(xué)能力和光化學(xué)氧化活性,可應(yīng)用于光催化輔助的拋光。

        除了上述幾種常見的磨粒外,CMP拋光中還可能使用到其他類型的磨料,如氧化鐵、碳化硅等。這些磨料在某些特定應(yīng)用或特定材料拋光中可能具有優(yōu)勢,在實(shí)際應(yīng)用中需要考慮磨粒的粒徑、濃度等因素對拋光效果的影響。通過對磨粒的合理選擇和使用,可以實(shí)現(xiàn)高效、高精度的CMP拋光過程,滿足各種精密加工應(yīng)用的需求。

        參考文獻(xiàn):

        1、趙琦.單晶硅元件CMP加工表面劃痕去除和清洗工藝研究[D].哈爾濱工業(yè)大學(xué).

        2、程佳寶,石蕓慧,牛新環(huán),等.CMP拋光液中SiO2磨料分散穩(wěn)定性的研究進(jìn)展[J].微納電子技術(shù).

        3、張曼.氧化鋁磨料制備、拋光漿料穩(wěn)定性及其拋光性能的研究[D].合肥工業(yè)大學(xué).

        4、范永宇.CeO2復(fù)合磨料制備及其在化學(xué)機(jī)械拋光中的應(yīng)用[D].中國科學(xué)技術(shù)大學(xué).

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